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以氮化镓和碳化硅作为当下极具后劲的第三代半导体材料欧洲杯体育，其代表着功率半导体时期的前沿发展标的，在电源边界展现出宏大的上风与价值。与传统硅器件比较，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体功率器件具备更高的扫尾、更强的耐高温性、以及更小的尺寸，简略权臣普及电源系统的能效，推进Ai数据中心、通讯基站、新能源汽车等高能耗产业向低碳环保标的进化。

而在各人功率半导体产业加快向第三代半导体材料迁徙的态势中，无时常刻演出一场时期与成本的双重争夺战。近期，业界动作频频，从到时期摧毁到新品发布，第三代半导体行业赛谈呈现出前所未有的活跃态势。为助力诸君读者一又友了解最近第三代半导体行业新决策、新动向，充电头网整理了近期行业内推出的新品决策，下文小编将为您详备先容。

下文品牌排序不分先后，按品牌英文首字母规定成列。

AOS万国AOS推出6.6kW OBC Demo系统

AOS万国推出6.6kW OBC DEMO，该演示demo在AC-DC侧使用AOM040V75X2Q和AOK060V75X2Q，在DC-DC侧使用AOM040V75X3Q。

张开剩余93%

该演示demo输入电压范围广，为85-265V，50/60Hz（AC/DC），同期还能顺应320-450V，50/60Hz（DC/AC）的输入条目，输出电压也具备宽范围，为250V-450V（AC/DC），在特定情况下，还能输出220V，50Hz（DC/AC）。在功率方面，当Vac≥220V时，可达到6.6kW（AC/DC模式），Vac=90V时，功率为2kW（AC/DC模式），在DC/AC模式下，最大功率为3.3kW。其扫尾表示十分出色，峰值扫尾高达96%，PFCPWM频率为65kHz，CLLC PWM频率为200kHz。这款家具还具备诸多脾性，比如宽输入电压范围85-265VAC，50/60Hz，宽输出电压范围250-450VDC，最高扫尾可达96.5%，最大功率输出为止分袂为6.6kW（AC/DC模式）和3.3kW（DC/AC模式），况兼领有输入过流、过压、欠压保护，输出过流、过压、欠压保护等多种保护功能，还配备多种故障LED裸露，可通过开关解放切换AC/DC或DC/AC模式。

EPC宜普EPC宜普推出专为PD快充愚弄的氮化镓180W demo决策

宜普公司推出基于EPC91109评估板，其配备了一个紧凑高效的双一样步降压篡改器。该篡改器输入电压范围为20–36V，输出电压可选12V、16V或20V。它使用了四颗EPC2057（50V额定电压的eGaNFET）和LTC7890模拟双相降压限度器。评估板简略建立成单输出的双相交错篡改器，或者双输出的降压篡改器。

手脚为单输出的双相交错篡改器时，其不错从36V电源向12V负载输出最高14.3A电流，至极于180W输入功率，合适USB-PD 3.1表率在36V母线下允许的最大功率。功率级面积（包含电感器）为24mm×24mm，最大元件高度为3mm，无需散热器或风冷。

该决策剿袭尺寸仅为6.95mm×6.60mm、高度3mm的袖珍电感专为功率高达180W的PD3.1愚弄场景想象，适用于空间受限且对功率有少许需求的PD适配器、笔电适配器等场景愚弄。

EPC宜普推露面向96-150V系统的氮化镓三相逆变器决策评估板

宜普最新推出的基于EPC2304氮化镓场效应管的高性能三相无刷直流逆变器参考想象EPC9196，其专为 96-150V电板系统打造，可提供25A灵验值的握续输出电流，适用于AGV转向系统、机器东谈主关节以及紧凑型自动驾驶车辆等场景。

在中枢参数层面，其输入电压范围30-170V，输出电流25 ARMS（35A 峰值），PWM 频率最高可达150kHz，dv/dt小于10V/ns，且集成电流、电压、温度及时监测传感功能。散热方面，在无散热器当然对流条目下可输出 8.5ARMS，加装散热器后输出电流可达 13 + ARMS，即使在瞬态爆发 25ARMS 时也能保握安全温升。

作为首款针对96-150V、25ARMS条目优化的demo，EPC9196填补了市面大宗参考想象在中压中流愚弄区间的空缺，称心高功率密度电机限度系统想象需求。系统集成40针接口，适配ST、TI、Microchip及Renesa电机限度板，信号经3.3V缩放直连ADC 输入，过流保护复古硬件 / 软件双重限度。此外，EPC9196随家具附赠配套完整确立资料包，含旨趣图、物料清单、PCB 布局图、仿真模子等，助力工程师快速上手进行想象。

Innoscience英诺赛科英诺赛科推出4kW双向PFC决策

英诺赛科近期推出4kW双向PFC决策，该决策剿袭AC-DC图腾柱拓扑，内置4颗ISG6121TD氮化镓器件。

该demo其峰值扫尾表示优异，在用于整流时，在230V输入电压条目下，峰值扫尾可达99.03%；在用于逆变时，230V输出电压条目下，峰值扫尾为98.95%。开关频率为65kHz PFC。其PCBA尺寸为176×100×57mm，功率密度高达65.6W/inch³。此外，剿袭了InnoGaN时期，使用了4颗ISG6121TD芯片，可见该demo决策具备高效、紧凑与行业前瞻性与立异性。

英诺赛科1.2 kW 高功率密度四相交错降压电源决策

英诺赛科面向 AI 算力基建的最新1.2 kW四相交错降压参考想象，针对行业对高密度化、智能化与低碳化的中枢需求而生。该决策在典型 48 V 输入、12 V/100 A 输出条目下，凭借氮化镓器件的小体积、高频高效脾性，将功率密度与系统扫尾推向极限，完了了峰值 98.1%（600 W）及满载 97.5%（1200 W）的优厚表示。相较于传统硅基贬责决策，全体损耗训斥逾 30%，器件热门温度在无风情状下低于硅决策 15 ℃ 以上，灵验普及了散热性能与系统可靠性，同期为数据中心 PUE 降本增效提供了坚实保险。

该参考想象剿袭英诺赛科自研的INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC与双面散热的100 V增强型 GaNFET INN100EA035A，通过四相交错 Buck 拓扑完了功率传输的平滑切换与均流分摊。INS2002FQ 集成自举与 BST 钳位电路，复古寂寞荆棘拉驱动与三态 PWM 输入，可纯真篡改死区时分并完了低蔓延高驱动才气；INN100EA035A 则凭借超低导通电阻与高饱和磁通密度的双面散热结构，配合铂科新材料高频磁材，灵验缩减电感与滤波电容体积 50%以上，使整机功率部分仅占 PCB 面积 48 × 12 mm，为新能源、通讯及数据中心等多边界提供了高效、紧凑、可彭胀的48 V降压决策。

英诺赛科发布无散热器想象300W GaN 电机驱动评估板

近期，英诺赛科推出的INNEMD310V3A1评估板，其剿袭 INN700TK350B，可在台架测试中摧毁评估高达300W负载的组件。

该评估板内置700V INN700TK350B GaN，具备低损耗、高转速、简化测试经由、优化布局四大上风。获利于氮化镓莫得反向收复的优异脾性，加上超低的通畅和关断损耗，对比同规格MOS/IGBT器件，高压氮化镓的损耗减少50%以上，可完了高性能、无散热器想象，轻松BOM以及散热器安装工序成本；剿袭氮化镓的电机驱动器，由于弥散快的开关速率，PWM频率不错普及到100KHz，不错复古电机启动在更高的转速，况兼取得更好的限度性能；简化测试经由，配套无感FOC限度算法；优化布局，完了最好性能。

Navitas纳微纳微12kW超大范围AI数据中心电源参考想象

纳微推出了专为超大范围AI数据中心想象的最新12kW量产电源参考想象，基于第三代快速碳化硅 MOSFET 与高功率GaNSafe氮化镓功率芯片的深度协同打造，好意思满契合绽放想象神志（OCP）ORv3 表率及高功率干事器机架需求。

该决策在三相交错 TP‑PFC 与 FB‑LLC 拓扑中引入纳微独家 IntelliWeave 数字限度时期，夹杂剿袭临界导通模式与邻接导通模式，确保轻载至满载工况下元件最简与扫尾最大化，相较传统 CCM 决策功耗训斥约30%。其中，TP‑PFC 由“沟槽接济平面栅”碳化硅 MOSFET 驱动，兼具全温域高性能、低温升与超卓鲁棒性；FB‑LLC 则由集成驱动、感测与多项保护功能的第四代 GaNSafe 氮化镓功率芯片担当，短路保护反应最快 350 ns，悉数引脚提供 2 kV HBM ESD 谨防，且无需独特 VCC 引脚即可完了可编程斜率限度，灵验普及高功率愚弄的可靠性与安全性。

该参考想象尺寸仅为790 × 73.5 × 40 mm，输入电压隐敝 180–305 VAC 区间，在高于 207 VAC 条目下可褂讪输出 12 kW、低于阈值时保证 10 kW 输出，输出电压最高可达 50 VDC。整机配备主动均流及完善的过流、过压、欠压与过热保护机制，并复古 3 倍稳态电流的浪涌输出（< 20 ms），可在 –5–45 °C 环境中邻接启动 20 ms 负载而保握褂讪。此款参考想象可助力超大范围 AI 数据中心速即部署高功率、高密度且极具成本效益的电源基础要道。

ON安森好意思安森好意思推出SiC Combo JFET评估板

安森好意思半导体的SiC Combo JFET家具，领有极低的导通阻抗以及可精确调控的开关速率，这使其在断路器以及大功率且低开关速率要求的愚弄场景中，简略完了极为出色的扫尾表示与功率密度普及。与此同期，该器件的功率轮回性能与传统硅器件比较绝不失色，且相较于SiC MOSFET，其功率轮回性能更是跳跃2倍多余。

为了助力客户更好地对Combo JFET器件进行评估，安森好意思半导体用心推出了两款评估板。其中一款专为断路器愚弄而想象，剿袭共源极建立；另一款则针对大功率开关模式愚弄，剿袭半桥建立。这两类评估板均可通过安森好意思的官方销售渠谈获取。

Si-Power硅能源硅能源65W slim超薄氮化镓快充决策

近期Si-power硅能源基于旗下SP9800+SP6520H高频QR电源决策，想象了一款65W slim超薄氮化镓快充DEMO，整机三围实测仅67.43*40.04*10.77mm，功率密度高达2.24W/cm³，另外分量也仅有37g，工致毛糙，摧毁称心客户关于“饼干”充电器的想象要求。

DEMO剿袭了硅能源SP9800+SP6520H高频QR电源决策，以及SP240N70TT1氮化镓开关管、SP05N10SRL同步整流管全套器件。SP9800数模夹杂信号反激限度芯片集成Cap-Less自顺应CCM时期与自顺应谷底锁定战略，可在大幅收缩输入母线电容体积的同期保握高扫尾启动；SP6520H不错动态追踪输出电流波形，训斥次级整流管导通损耗，进一步普及篡改扫尾。

SP240N70TT1氮化镓开关管助力家具高频高效以及完了袖珍化。这套决策不仅相称得当超薄型充电器愚弄，而且一起来自硅能源，一致性也会更好，疏导成本更低，关于协助客户确立新品，裁减研发周期完了快速量产上市更有上风。

干系阅读：

1、功率密度达2.24W/cm³，硅能源65W slim超薄氮化镓快充决策分解

WolfspeedWolfspeed推出25kW双向T-型逆变器

Wolfspeed推出25千瓦双向T型逆变器demo，剿袭Wolfspeed 650V和1200V SiC MOSFET，适用于光伏逆变器、UPS、电动汽车快充桩、高压直流输电、东谈主工智能/数据中心大功率PSU及储能系统等高功率场景，且具备逆变器模式和功率因数雠校模式。该demo还配备一套完整评估器具，能助力新式碳化硅想象确立。

该demo想象在逆变器模式与PFC模式下均能完了峰值扫尾大于99%，且功率密度大于6kW/L。在逆变模式中，直流输入电压为800V DC，最大电流为36A，交流输出电压范围是380-480 Vline-line，频率为50/60Hz，最大功率可达25kW，其开关频率为60kHz。而PFC模式下，三相输入电压为380-480Vline - line，频率50/60Hz，最大电流同样为36A，直流输出电压在650V-900V之间，最大功率亦然25kW，开关频率为60kHz。此想象可日常愚弄于光伏逆变器、不闭幕电源（UPS）、储能系统、电动汽车快速充电以及工业电源等边界。

X-IPM芯主线芯主线推出12V 8.33A 100W demo决策

芯主线最近带来12V 8.33A 100W demo，该决策内置芯主线X3G6516B5氮化镓开关管以及XD065A0065碳化硅二极管，分袂用于PFC MOS、LLC MOS和PFC二极管。

据官口头样，该demo决策在110V电压输入，20%负载至满载（对应负载为20%、40%、60%、80%、100%）的情况下，通过想象得出其篡改功率为92.0%、93.3%、93.6%、93.8%、93.9%。在220v电压输入，20%负载至满载（对应负载为20%、40%、60%、80%、100%）情况下，通过想象得出其篡改扫尾为93.0%、95.0%、95.7%、95.8%、96.0%。全体篡改扫尾在90%以上。

充电头网回顾

关于功率器件企业而言，不断推出demo决策简略为行业提供完整愚弄示例，以全面评估器件性能，互助企业或工程师简略考证家具脾性，提前发现硬件残障，训斥试错成本；同期推出demo还不错针对特定愚弄提前想象优化，训斥想象难度，加快家具确立程度，是普及家具竞争力的蹙迫前置决策。

以上等于本按次三代半导体行业demo新决策的一起实质，如您需要握续了解第三代半导体行业风向，您不错存眷充电头网，咱们将会握续为您整理业界最新动向。

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发布于：广东省